TÜRKİYE’DE İLK DEFA GALYUM NİTRAT TRANSİSTÖR VE ENTEGRE DEVRE ÜRETİMİ YAPILACAK
Yazar: Murat YENERTarih: Kasım 14, 2014Kategori: Haberler
ASELSAN ve Bilkent Üniversitesince, yüksek güçlü nano transistörlerin üretimi için Mikro Nano Teknolojileri Sanayi ve Ticaret AŞ (AB-MikroNano) adında şirket kuruldu.
Şirket, Türkiye’de ilk defa radar, yüksek hızlı tren, elektrikli arabalar ve 4G cep telefon sistemleri gibi birçok farklı alanda kullanılan galyum nitrat transistör ve entegre devre üretimi yapacak. ASELSAN’dan yapılan açıklamaya göre, şirket kuruluş sözleşmesini ASELSAN Yönetim Kurulu Başkanı Hasan Canpolat ve Bilkent Üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Abdullah Atalar imzaladı.
TÜBİTAK ve Savunma Sanayii Müsteşarlığı tarafından desteklenen galyum nitrat yarı iletken malzemesi temelli nano transistör teknolojisi, ASELSAN ve Bilkent tarafından milli olarak geliştirildi. BİLKENT Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi’nde yüksek performanslı transistörler üretildi. Laboratuvar testleri tamamlanan transistörler, ASELSAN’da yapılan saha testlerinde de başarılı bir şekilde kullanıldı. Üretilen transistörlerden elde edilen sonuçların, hedeflenen performansların üzerinde çıkması sonucunda ASELSAN ve Bilkent yönetimleri bu konuda ortak şirket kurma kararı aldı. Bunun üzerine AB-MikroNano şirketi kuruldu.
30 milyon dolar yatırımla kurulan AB-MikroNano, Türkiye’de ilk kez ticari amaçlı transistör ve elektronik entegre devre üretimi yapacak. Şirket tarafından üretilecek nanoteknoloji temelli ürünler ihraç da edilecek. Nanoteknoloji konusunda bu ürünlerle ilgili şimdiye kadar dünyada tüketiciler liginden çıkamayan Türkiye, artık üreticiler liginde yer alacak.
Bu arada Türkiye, dünyada galyum nitrat yarı iletken malzemesi temelli nano transistör teknolojisi geliştirilebilen 5 ülkeden birisi konumunda bulunuyor.
YORUMLAR (İLK YORUMU SİZ YAZIN)